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目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。
移动通信的无线数据流量在过去几年里急剧增长，随着5G和物联网设备的普及，预计到2020年，移动通信的年增长率将达到1.5倍。为了建立这种高容量的下一代无线通信网络，人们将注意力集中在使用高频W波段的无线通信技术上。为此，富士通实验室（Fujitsu Laboratories Ltd.）宣布开发一种氮化镓(GaN)高电子移动晶体管(HEMT)功率放大器，可用于W波段(75-110ghz)传输。
这些完全集成的全固态器件扩展了ADI公司现有的GaN功率放大器系列，使用方便，可以加快原型开发和系统设计。
透过台积电以六寸晶圆厂的技术，Dialog新推出了DA8801，Dialog的策略首要就是先聚焦较为大量的应用，这也是首款将矽与GaN加以整合的功率元件，所以有其市场意义。
而5G是下一代移动无线网络，将为需要极低延迟的间和 或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。
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