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我国IGBT芯片自研成功,一举打破垄断,美国院士:损失上万亿

近日,据媒体报道,我国科学家又攻破了一项技术壁垒,成功研制出又一芯片--IGBT。据悉,IGBT芯片是绝缘栅双极晶体管,兼具电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,不但拥有良好的特性,而且应用范围非常广。
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  随着科技的发展,人类即将进入物联网时代,被誉为“工业粮食”的芯片地位越来越重要,它在智能手机、计算式、汽车等电子设备中被广泛应用,是发展5G、人工智能、物联网、自动驾驶等领域不可或缺的基础。

  电子工程师霍夫曾表示,晶体管是人类最伟大的发明之一,它的出现,让电子产品体积更小、性能更先进。集成了成千上亿晶体管的芯片,性能更加的强大。

  然而,要想制造出高端芯片,就必须使用到高端光刻机,如ASML公司制造的EUV光刻机。ASML公司副总裁丹尼·布朗曾表示,光刻机具有点沙成金的效果,将紫外光变为“画笔”,把预先设计好的芯片线路书刻画到光刻胶上,精度高达头发丝的千分之一。

  由于我国进入半导体行业的时间较晚,技术积累薄弱,与发达国家存在着一定的差距,而且国内企业在发展半导体行业的过程中,太过于注重轻资产的研发,导致我们的半导体产业链失衡,虽然是世界上最大的芯片消耗国,但是自给率却不足30%。

  任正非曾表示,虽然我国拥有顶级的芯片设计企业,掌握着最先进的芯片制程工艺,但是由于国内企业不能制造出高端光刻机,致使我们无法独自制造出高端芯片,美国也正是看中了这一点,不断对我国企业实行芯片封锁政策,给我国企业的发展造成了很大的影响。

  随着美国打压手段的升级,让我们逐步意识到打造一条先进的自主可控的半导体产业链的重要性,不断加大半导体科研的力度。所幸的是,在国家的支持下,科学家的努力下,我国终于再次实现了“中国芯”的新突破。

  近日,据媒体报道,我国科学家又攻破了一项技术壁垒,成功研制出又一芯片--IGBT。

  据悉,IGBT芯片是绝缘栅双极晶体管,兼具电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,不但拥有良好的特性,而且应用范围非常广。

  值得一提的是,在IGBT芯片这一领域,比亚迪做出了巨大的贡献,不但拥有完整的IGBT芯片生产线,还打造了一条完整的IGBT芯片产业链。

  想必大家都知道,现在全球各大企业正在闹“芯荒”,尤其是汽车行业,有不少头部车企正式宣布关闭部分生产线,亦或是已经关闭的生产线延期复工。在各大车企为芯片供应严重不足而寝食不安的时候,比亚迪正式宣布,公司制造的IGBT芯片不但可以自给自足,还可以完全可以做到对外出口。

  比亚迪的霸气宣言,瞬间引爆了国内无数网友的激情,纷纷表示,我国在终于在某些领域实现了芯片自由,再也不用担心被被人卡脖子,让人鼻息了。

  对于中国成功研制出IGBT芯片,美国科学院院士詹姆斯表示:中国一举打破美在IGBT芯片领域的技术垄断,美企或将遭受上万亿元的经济损失,如果不是对中国企业进行芯片制裁,怎么可能发生这种事情?

  随着“中国芯”的不断突破,我们在芯片领域的话语权越来越高,只要我们不懈怠,就能彻底打破西方国家对我们的芯片封锁,让我们的企业在世界的舞台上尽情地起舞。


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