南韩海力士半导体公司（HynixSemiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取记忆体）芯片采用的技术，能让内部线路相距仅40纳米，细微度是目前产品的1/5。
海力士表示，这项新产品的生产效率较现有芯片提升50%，因为比现有制程耗费更少能源和成本。海力士说，将从今年第三季开始量产。
海力士发言人说：“海力士成为成功应用40纳米级技术至DDR3DRAM芯片的全球首家厂商。研发出此新芯片，将有助于海力士在快速变迁的记忆体芯片市场继续维持领先地位。”
全球经济下滑严重打击记忆体芯片产业，由于全球需求剧跌，日本东芝公司（Toshiba）被迫减产，台湾多家主要厂商也寻求当局纾困。
资讯是全球知名展览公司百科展览集团旗下的专业媒体平台，自1994年品牌成立以来，一直专注于安全&自动化产业前沿产品、技术及市场趋势的专业媒体传播和品牌服务。从安全管理到产业数字化，资讯拥有首屈一指的国际行业展览会资源以及丰富的媒体经验，提供媒体、活动、展会等整合营销服务。
粤公网安备 44030402000264号
