获悉，中国的中芯国际（SMIC）开发出了生产0.11μm CMOS图像传感器的工艺技术。其0.11μm工艺技术的布线层所用金属材料既可使用铝（Al）也可使用铜（Cu）。该公司已开始了0.11μm工艺技术的试生产，可采用200mm或300mm晶圆生产。
SMIC表示：“利用此次开发的工艺技术可以生产比此前分辨率更高、噪音更低和高对比度的CMOS传感器”。
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