东芝（Toshiba）旗下的存储与电子元器件解决方案公司日前发布采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器TLP5832，该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。
东芝（Toshiba）旗下的存储与电子元器件解决方案公司日前发布采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器TLP5832，该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。
新IC采用SO8L封装，封装高度比东芝采用SDIP6和DIP8（LF1选项）封装的现有产品降低约54%，可为封装高度有限的电路板安装提供支持，同时有助于实现芯片组小型化。尽管尺寸小，但是该IC可保证爬电距离和至少8mm的电气间隙，使其适合需要高隔离性能的应用。
此外，该新型栅极驱动光电耦合器可在–40至+110摄氏度的全部工作温度范围内保证传输延迟和传输偏差。可通过降低温度裕度实现逆变器电路的高效设计。
据Gartner统计，2016年东芝相关产品占有23%的销售市场份额。
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