较早前有消息称，三星欲投资26.4亿美元扩充华城厂17线的DRAM产能，生产10纳米等级的DRAM。另，将在17线旁的停车场另盖新厂，或用于生产7纳米的系统半导体。该公司率先量产18纳米DRAM，在电子制程上把竞争者抛在身后，其最有力的竞争者美光(Micron)和 SK 海力士(SK Hynix)也动作频频，呈追赶之势。
三星连霸25年DRAM存储器半导体市占率第一，在制程技术上领先对手约莫1~2年。2016年下半首先量产18纳米DRAM，业界预估15纳米可能是DRAM制程微缩的极限，三星计划今年下半推进至15纳米。
从20纳米等级转进10纳米等级制程，缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓，而越接近电流外泄和电容器干扰更为明显的15纳米，三星未来将可能难以通过制程微缩拉大与竞争对手的差距。
与此同时，DRAM第三大厂美光拼命追赶，已于2017年Q1量产18纳米DRAM，并计划未来2、3年斥资20亿美元，研发13纳米 DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。
另一家竞争对手SK 海力士，也准备在今年下半量产电脑用的18纳米DRAM，接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。与美光加速追赶以期弯道超车策略不同的是，SK 海力士稳扎稳打，优先提高21纳米制程良率，之后转进20纳米、再转向 18 纳米。SK 海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM 制程，但是还不确定量产时间。
消息人士称，三星打算在2017年底提高30% 18纳米DRAM的生产比重。从以往策略来看，三星可能以利润优先，鲜少采用扩产抢市打乱价格方式。
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