近年来，由于消费电子已经由桌面转向移动应用，机械存储江河日下，闪存则成了新一代竞争高地。位于韩国京畿道平泽市的心半导体工厂耗资136亿美元，毋庸置疑地成为了全球规模最大的芯片制造基地，主攻第四代3D NAND闪存芯片制造。
该工程占地289万平方米，始建于2015年，耗资达到了15.6万亿韩元(约合136亿美元)，具备平面和垂直NAND闪存芯片制造能力，预计年产能可达45万片晶圆，芯片的垂直堆叠工艺可做到64层，其中3D NAND闪存芯片产能将超过50%。
目前，三星已经要求芯片制造设备务必于今年5月底之前到位，短期内虽然产能仍有限，但未来几年将会逐步扩张完善。即便三星至今尚未公布正式投产及运营时间，但据The Investor网站消息，该全球最大芯片工厂将于今年7月开始运营。
而三星作为全球最大的NAND闪存芯片制造商，该工厂的投入运营，将强有力地稳固了三星的NAND市场地位。
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