据恩智浦微控制器部总经理Geoff Lees介绍，据评定尚有1年时间，在对线路图未了解(预计今年5月三星才发布线路图)，也未进行考察的情况下，恩智浦即选择了三星授权自ST的FD-SOI工艺。今年，恩智浦就使用了多达5种采用三星28nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺生产的SoC芯片。
在某次展会上，恩智浦展示了第一个样品，被认为是FD-SOI漫长发展过程的里程碑。长远看，FD-SOI能够提供更好的ADC和更低的功率无线电支持，如单天线802.11n Wi-Fi能够出现在Zigbee和其他802.15.4协议的功率预算中，并有能力将蓝牙低能耗提升到创记录的功率级别，以新的成本开发新的应用。
对FD-SOI，业内许多自身人士都表示了积极的态度，如三星代工市场营销副总裁Ryan Lee认为，FD-SOI虽然刚起步，但未来将会成为主流业务。
恩智浦介绍了i.MX品牌下的四个64位ARMv8和一个32位ARMv7嵌入式SoC，其中的三个现在正在使用三星的FD-SOI工艺生产。在接下来的两年中，该系列产品将覆盖25倍的性能范围，比其基于平面工艺的i.MX芯片高五倍，每种设计都针对不同的性能和功率特性进行了优化。
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