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联电28nm技术将移转至厦门联芯

2017-03-23 08:01 阅读 1771 来源：智能电子集成评论区

联电厦门厂联芯于去年底投产，主要采用40nm工艺，此次升级至28nm工艺将可提升其技术层次，加快抢攻手机芯片代工市场业务。

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　　台晶圆代工厂联电(UMC)日前表示其28纳米(28nm)工艺授予转投资厦门子公司联芯集成电路制造公司已获批准，预估今年第二季联芯的28nm即可量产，将供应国内手机市场。

　　联电厦门厂联芯于去年底投产，主要采用40nm工艺，此次升级至28nm工艺将可提升其技术层次，加快抢攻手机芯片代工市场业务。联芯预估28nm在今年第二季量产后，月产能将从现有的1.1万片扩展至1.6万片。

　　在28nm技术转移至联芯后，联电自主研发的下一代14nm鳍式场效晶体管(FinFET)技术也宣布已进入客户芯片量产阶段。该公司表示，出货给主要客户的14nm量产晶圆，良率已达高度先进制程的业界竞争水准，并将运用于开拓崭新的消费电子产品应用。

　　联电14nm FinFET工艺速度较28奈米增快55%，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较28奈米减少约50%。此14奈米客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14nm产能。

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