IBM 研发储存技术有新突破。(Source:IBM Research)
根据《TheVerge》报导,这项技术叫「相变化内存(Phase-change memory,PCM)」,通过改变 PCM 上硫化物型态所产生的不同电流来读写数据。因具有读写速度快、耐用、非挥发性(non-volatility)等优势,一直被视为储存科技的潜力股,但在过去受限于成本过高和储存有限,一个储存单位(cell)仅能存 1bit,难以应用于计算机和行动装置上,仅被用在蓝光光盘。现在,IBM 研发出 PCM 每储存单位可存 3bit 而不受周围温度影响,突破储存密度的限制可让 PCM 的成本远低于 DRAM,大幅度提升 PCM 实际应用于商业的可能。
不像 DRAM 在中断电力后会失去数据,PCM 和闪存一样,在失去电力的情况下也可暂存数据。跟闪存相比,PCM 可写入至少 1 千万次,闪存平均仅能写入约 3,000 次。此外,根据《Engadget》报导,PCM 的读取速度少于 1 微秒,闪存则约 70 微秒。这些特性让 PCM 有望成为改变数据处理的革新技术。
PCM 与现有储存技术相比。(Source:IBM Research)
PCM 的技术革新对计算机和手机都有重要影响力。根据 IBM 的说法,PCM 可用来取代目前 RAM 在桌机的应用,此外,通过使用 PCM 和闪存的混合形式,也可大幅提升行动装置的速度。例如,手机操作系统可储存于 PCM,几秒内就可开机。从企业端来看,可将数据库储存在 PCM,加快时间至上的在线服务,例如金融交易。IBM 新闻稿指出。云端人工智能应用也可受惠于 PCM,IBM 表示:使用大量数据库的机器学习算法,可在每次重复读取数据时减少延迟时间,加快进展速度。