此款碳化硅萧特基位障二极体采用东芝第二代碳化硅的制程制造，相较第一代产品提升了70%的涌浪顺向电流，且同时降低切换损失的“RON*Qc”指数约30%
东芝
半导体与储存产品公司新推出第二代650V碳化硅(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。8个碳化硅萧特基位障二极体的新产品线也即将出货。
此款碳化硅萧特基位障二极体采用东芝第二代碳化硅的制程制造，相较第一代产品提升了70%的涌浪顺向电流，且同时降低切换损失的“RON*Qc”指数约30%，使其适合用于高效率的功率因素修正方案。
新产品有4A, 6A, 8A, 和10A四种额定电流，用非绝缘的「TO-220-2L」或绝缘的「TO-220F-2L」包装。这些产品有助于改善4K大银幕液晶电视、投影机和多功能印表机的电源供应器效率，以及电信基地台和PC伺服器的工业设备。
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