电子游艺平台app_电竞平台下载

应确保选择 MOSFET 能够可靠处理热插拔应用中遇到的压力，这一点非常重要。

　在任何情况下，任务关键的伺服器和通信设备都必须能够保持正常运转，即使在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时。热插拔控制器 IC 通过软启动电源，可以支持从正在工作的系统中插入或移除电路板，从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后，MOSFET 开关缓慢接通，这样，流入的浪涌电流对负载电容充电时能够保持在安全水平。因此，MOSFET 开关对于热插拔控制器 IC具有重要意义。

　　图1：可插入电路板的热插拔控制器

　　CONNECTORS：连接器

　　BACKPLANE：背板

　　HOT SWAP CONTROLLER：热插拔控制器

　　当热插拔电路出现故障时，薄弱环节一般在 MOSFET 开关上，因而可能会损害或破坏热插拔控制器。MOSFET 出现故障常见的原因是在选件时没有重视其安全工作区 (SOA)。相反，选择 MOSFET 时主要考虑了电阻 (RDS(on)) 上漏-源极以及最大漏极电流 (ID(max))。或者，新设计基于负载电容较小的老款设计，同样的 MOSFET 能够很好的工作。大部分功率 MOSFET 针对低 RDS(on) 和快速开关进行了优化，很多电源系统设计师习惯面向这些特性来选择 MOSFET，而 MOSFET 在显着时间于高损耗开关状态下过渡，却在电路忽略了 SOA。在 MOSFET 制造商参数选择表中没有 SOA，它并不能帮助。即使是注意到 SOA，由于 SOA 数据通常是基于计算而不是测试数据，因此，应用的降额或余量并不明显。

MOSFET 安全工作区

　　SOA 是对 MOSFET 在脉冲和 DC 负载时功率处理能力的衡量。在 MOSFET 产品手册的图表中进行了阐述，如图 2 的实例所示。其 x 轴是 MOSFET 漏-源极电压 (VDS)，而 y 轴是漏极电流 (ID);两个轴都使用了对数坐标。在这张图中，直线 (每一条代表不同的 tP) 表示恒定 MOSFET 功率。每条线代表了 MOSFET 在某一脉冲宽度 tP 时允许的功耗，tP 的范围在微秒至无穷大 (DC)。例如，图中显示了对于 10ms 脉冲，MOSFET 漏-源极上有 5V 电压，流过的电流为 50A，计算得到功耗是 250W。同样脉冲宽度下较低的功耗保证了安全 MOSFET 工作，图中标注为 10ms 线下面的区域，这就是 “安全工作区”。图的两端是由接通电阻、漏-源极击穿电压、和最大脉冲漏极电流决定。

　　图 2：PSMN3R4-30BLE N 沟道 MOSFET 的安全工作区

集成MOSFET及SOA对实现稳固热插拔的重要性

MOSFET 安全工作区