三星提价存储芯片，开发全新高带宽存储芯片 - 安防知识网 - 资讯

基于当前市场供需状况和人工智能技术（AI）需求的激增，三星电子宣布计划将其主要的存储芯片产品，包括动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存，在第三季度提价15%至20%。此外，三星电子宣布，已成功开发出业界首款HBM3E 12H高带宽存储芯片(High Bandwidth Memory 3E 12-High)。

三星电子的设备解决方案部门(DS)在京畿道华城工厂召开全球战略会议，指出由于人工智能技术的快速发展，存储半导体方面的竞争日益加剧。为满足市场需求，三星电子决定对其主要存储芯片产品进行提价。

　　根据市场研究公司D-RAM Exchange的数据，今年第一季度全球企业级NAND闪存销售额达到37.58亿美元，环比增长62.9%。这一增长趋势预计将在未来几个季度内持续。此外，不断增长的AI需求导致部分产品库存出现短缺，客户也越来越愿意提前锁定订单。

　　三星电子的涨价计划得到了业界的广泛关注。一位半导体业内人士表示：“客户通常只需要提前给出下一季度的需求，但现在却告诉芯片制造商他们的全年计划。”这表明，市场需求正在快速增长，供应商在市场中占据主导地位。因此，最终的谈判涨幅可能会高于预期的15%至20%。

　　三星电子的这一决策对于整个存储芯片行业具有重要意义。作为全球最大的存储芯片制造商之一，三星的涨价计划可能会对其他存储芯片制造商产生一定影响。然而，这也将推动整个行业的技术创新和产品升级，以满足不断增长的市场需求。

　　此外，三星电子宣布，已成功开发出业界首款HBM3E 12H高带宽存储芯片(High Bandwidth Memory 3E 12-High)，再次证明了其在存储技术领域的创新实力和领先地位。

　　HBM3E 12H作为三星最新的存储芯片产品，其独特之处在于其采用了先进的12层堆叠技术，实现了业界领先的36GB大容量。与此同时，该芯片的全天候带宽高达惊人的1280GB/s，相比前代产品有了显著的提升。

　　这一突破性的技术不仅极大地提高了数据传输速度和数据处理能力，更为各种高性能计算和大数据处理任务提供了强大的支持。

　　在技术实现上，HBM3E 12H采用了TSV(Through Silicon Via)技术，通过将24Gb DRAM芯片堆叠至12层，实现了业界最大的存储容量。

　　同时，三星还利用先进的TC NCF(热压的非导电薄膜)技术，使12层堆叠产品与原有的8层堆叠产品保持了相同的高度，满足了HBM封装规格要求。这一技术的运用不仅提高了产品的垂直密度，还优化了热量管理功能，进一步提升了产品的性能和稳定性。

　　在性能表现上，HBM3E 12H相比前代产品有了显著的提升。据三星官方介绍，该芯片在大数据处理上将带来34%的效率提升，同时客户规模也能因性能增强提升超过11.5倍。这一优势使得HBM3E 12H成为各种使用AI平台的公司的理想解决方案。

　　HBM3E 12H的发布标志着三星在存储技术领域又迈出了重要的一步。作为全球领先的半导体技术公司，三星一直致力于推动存储技术的创新和发展。此次推出的HBM3E 12H不仅展示了三星在存储技术领域的深厚底蕴和创新能力，也为其在全球半导体市场的竞争中增添了新的筹码。

　　目前，三星已经开始向客户供应HBM3E 12H的样品，并计划于今年下半年开始大规模量产。三星电子表示，将继续保持对技术创新和市场领导者的关注，并继续推动行业发展。未来，三星将继续致力于研发更多高性能、高容量的存储芯片产品，以满足不断增长的市场需求。