东芝(Toshiba) 半导体与储存产品公司新推出U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品U-MOS9，具备低导通电阻和高速特性，全新结构有效降低“RDS(ON) Qsw，藉由降低输出电荷以改善输出时所产生之损耗，有助提高产品效率。
 
　　新产品采用东芝低电压最新世代沟槽结构的U-MOS九代制程，较前一代制程可实现更低的导通电阻及高速效率；此外，全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之涌浪电压及振铃，有效降低电磁干扰(EMI)，此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品。
 
　　东芝表示，全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET系列有13个40V与5个45V产品是专为工业及消费性产品应用所设计，包含：高效率直流-直流转换器、高效率交流-直流转换器，电源供应器和马达驱动器。
 
　　新系列MOSFET的低导通电阻表现为RDS(ON)=0.80mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPWR8004PL)；RDS(ON)=0.99 mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPW1R005PL)，同时具有低输出电荷、高速、低切换杂讯、提供4.5V逻辑准位驱动等特性。